不同结构光学电压互感器抗电场干扰的探讨

程云国; 刘会金

引用本文:	程云国,刘会金.不同结构光学电压互感器抗电场干扰的探讨[J].电力系统保护与控制,2004,32(11):13-15,19.[点击复制]
	.[J].Power System Protection and Control,2004,32(11):13-15,19[点击复制]

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不同结构光学电压互感器抗电场干扰的探讨
程云国,刘会金
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(武汉大学电气工程学院，湖北武汉 430072)

摘要:

外电场对光学电压互感器(OpticalVoltageTransformer,OVT)的干扰与OVT的结构有关系,通光方向和电压方向不同,外电场对OVT的影响也不同。该文详细分析了外电场对OVT的横向调制和纵向调制两种基本结构的影响。针对这两种结构抗电场干扰的特点,兼顾实际高电压测量中的信号处理,提出了一种OVT传感头结构的改进措施。

关键词: 光学电压互感器横向和纵向调制电场

DOI：

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Abstract:

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